सौर PV सेल व मॉड्यूल: I-V अभिलक्षण, दक्षता, फ़िल फ़ैक्टर, श्रेणी-समांतर संयोजन तथा MPPT
2. I-V अभिलक्षण
आदर्श एकल-डायोड मॉडल में प्रकाश-धारा स्रोत IL एक डायोड के समांतर है: I = IL − I₀[exp(qV/nkT) − 1], जहाँ I₀ डायोड की संतृप्ति धारा, n आदर्शता गुणांक तथा 300 K पर kT/q ≈ 25.85 mV है। वास्तविक सेल में श्रेणी प्रतिरोध Rs (संपर्क, पिंड) व शंट प्रतिरोध Rsh (रिसाव) जुड़ते हैं। वक्र के दो छोर लघु-परिपथ धारा Isc ≈ IL (V = 0) तथा खुला-परिपथ वोल्टता Voc = (nkT/q) ln(IL/I₀ + 1) (I = 0) हैं। शक्ति P = VI दोनों छोरों पर शून्य है और घुटने पर अधिकतम होती है, यही अधिकतम शक्ति बिंदु (Vmp, Imp) है।
| परिवर्तन | Isc | Voc | Pmax |
|---|---|---|---|
| विकिरण G बढ़ता है | G के अनुपात में बढ़ती है | केवल लघुगणकीय रूप से बढ़ती है | लगभग G के अनुपात में बढ़ती है |
| सेल ताप बढ़ता है | थोड़ी बढ़ती है | घटती है (सिलिकॉन हेतु लगभग 2 mV प्रति सेल प्रति °C) | घटती है (क्रिस्टलीय Si: कोटि −0.4 % प्रति °C) |
| श्रेणी प्रतिरोध Rs बढ़ता है | लगभग अपरिवर्तित | लगभग अपरिवर्तित | घटती है, घुटना गोल हो जाता है |
मॉड्यूल की रेटिंग मानक परीक्षण दशाओं (STC) पर दी जाती है: विकिरण 1000 W/m², सेल ताप 25 °C, वायु-द्रव्यमान 1.5 स्पेक्ट्रम। क्षेत्र में सेल 25 °C से अधिक गर्म चलते हैं, इसलिए पूर्ण धूप में भी वास्तविक उत्पादन नेमप्लेट से कम रहता है।
हल उदाहरण (Voc)। n = 1.2, kT/q = 25.85 mV, IL = 8 A, I₀ = 1.0 × 10⁻⁹ A। Voc = 1.2 × 0.02585 × ln(8/10⁻⁹ + 1) = 0.03102 × ln(8 × 10⁹) = 0.03102 × 22.80 = 0.707 V। IL आधी करने पर Voc केवल 0.03102 × ln 2 = 21.5 mV घटती है: प्रकाश में बड़ा परिवर्तन, वोल्टता में छोटा।
3. दक्षता व फ़िल फ़ैक्टर
फ़िल फ़ैक्टर FF = Vmp Imp / (Voc Isc) बताता है कि I-V वक्र कितना वर्गाकार है; यह वक्र के नीचे के सबसे बड़े आयत और आयत Voc × Isc का अनुपात है और सदैव 1 से कम होता है (अच्छे सिलिकॉन सेल लगभग 0.75 से 0.85 तक पहुँचते हैं)। अतः Pmax = FF · Voc · Isc तथा दक्षता η = Pmax/(G·A) = FF · Voc · Isc/(G · A) है, जहाँ A वह क्षेत्रफल है जिस पर विकिरण G पड़ता है। जब तक सेल-क्षेत्रफल न दिया हो, दक्षता मॉड्यूल के कुल क्षेत्रफल पर कही जाती है।
हल उदाहरण। 1.6 m² क्षेत्रफल के मॉड्यूल के STC पर Voc = 38 V, Isc = 9.0 A, Vmp = 31 V, Imp = 8.3 A हैं। Pmax = 31 × 8.3 = 257.3 W। FF = 257.3/(38 × 9.0) = 257.3/342 = 0.752। η = 257.3/(1000 × 1.6) = 0.1608, अर्थात् 16.1 %।
ताप का शक्ति पर प्रभाव। यदि शक्ति का ताप-गुणांक γ प्रति °C है (सिलिकॉन हेतु ऋणात्मक), तो सेल ताप Tc पर शक्ति Pmax(Tc) = Pmax,STC [1 + γ(Tc − 25)] होती है। γ = −0.004 प्रति °C लेने पर 55 °C पर 257.3 W मॉड्यूल 257.3 × [1 − 0.004 × 30] = 226.4 W देता है, यानी पूर्ण STC विकिरण पर भी 12 % हानि। सेल-ताप परिवेश से उस अंतर जितना अधिक होता है जो विकिरण के साथ बढ़ता है, इसीलिए गर्म, धूप वाला दिन दक्षता हेतु सर्वश्रेष्ठ दिन नहीं है।
4. सेल व मॉड्यूल का श्रेणी व समांतर संयोजन
एक सेल अधिकतम शक्ति पर लगभग 0.5 से 0.6 V देता है, जो किसी उपयोग के लिए कम है; इसलिए वोल्टता बढ़ाने हेतु सेल श्रेणी में (36 सेल के मॉड्यूल का Voc लगभग 21 V) और धारा बढ़ाने हेतु स्ट्रिंग समांतर में जोड़ी जाती हैं। नियम किसी भी स्रोत जैसे हैं: श्रेणी में धाराएँ समान तथा वोल्टताएँ जुड़ती हैं; समांतर में वोल्टताएँ समान तथा धाराएँ जुड़ती हैं। श्रेणी में Ns मॉड्यूल और समांतर में Np स्ट्रिंग वाले ऐरे में, सर्वसम मॉड्यूल के लिए, Voc = Ns·Voc,module, Isc = Np·Isc,module तथा Pmax = Ns·Np·Pmax,module होता है।
| संयोजन | वोल्टता | धारा | बेमेल की समस्या |
|---|---|---|---|
| श्रेणी स्ट्रिंग | सेल-वोल्टताओं का योग | सबमें समान; सबसे कमज़ोर या छायित सेल से सीमित | छायित सेल स्ट्रिंग को रोकता है और उलटी बायस में गर्म हो सकता है (हॉट स्पॉट) |
| समांतर स्ट्रिंग | सब पर समान; कमज़ोर स्ट्रिंग वोल्टता को अपनी ओर खींचती है | स्ट्रिंग-धाराओं का योग | कमज़ोर स्ट्रिंग को अन्य उलटी दिशा में चला सकती हैं |
दो प्रकार के डायोड ऐरे की रक्षा करते हैं। श्रेणी में जुड़े सेल-समूह के आर-पार बाईपास डायोड स्ट्रिंग-धारा को छायित समूह के चारों ओर मार्ग देता है, कीमत यह कि उस समूह की वोल्टता खो जाती है। प्रत्येक स्ट्रिंग के श्रेणी में ब्लॉकिंग डायोड कमज़ोर स्ट्रिंग में, या बैटरी-तंत्र में रात को ऐरे में, उलटी धारा बहने से रोकता है।
हल उदाहरण। श्रेणी में दस मॉड्यूल हैं, प्रत्येक का 25 °C पर Voc = 37.5 V है और ताप में प्रति °C वृद्धि पर Voc प्रति मॉड्यूल 0.12 V घटता है (ठंडा करने पर प्रति °C 0.12 V बढ़ता है)। 5 °C सेल ताप पर प्रत्येक मॉड्यूल 37.5 + 0.12 × 20 = 39.9 V तथा स्ट्रिंग 399 V देती है। इन्वर्टर या चार्ज कंट्रोलर को यही ठंडी सुबह की चरम वोल्टता सहनी होगी, नेमप्लेट की 375 V नहीं।
5. अधिकतम शक्ति बिंदु अनुसरण (MPPT)
मॉड्यूल अपनी अधिकतम शक्ति केवल एक संचालन-बिंदु पर देता है, जहाँ भार-रेखा वक्र को घुटने पर काटती है। प्रतिरोध R वाला भार V = IR पर चलता है; मॉड्यूल तब मेल में है जब R = Vmp/Imp हो। घुटना विकिरण व ताप के साथ खिसकता है, इसलिए स्थिर भार प्रायः मेल में नहीं होता। MPPT नियंत्रक मॉड्यूल व भार के बीच DC-DC कन्वर्टर रखकर उसका ड्यूटी चक्र D इस तरह बदलता है कि भार चाहे जो हो, मॉड्यूल को मिलान वाला प्रतिरोध दिखे।
| कन्वर्टर (हानि-रहित, सतत चालन) | निर्गत वोल्टता | स्रोत को दिखता प्रतिरोध |
|---|---|---|
| बक (अपचायी) | Vo = D·Vi | RL/D² |
| बूस्ट (उच्चायी) | Vo = Vi/(1 − D) | RL(1 − D)² |
- विक्षोभ व प्रेक्षण (P&O): वोल्टता को थोड़ा हिलाइए; शक्ति बढ़े तो वही दिशा, घटे तो उलटी। सरल है, पर शिखर के आसपास दोलन करता है और तेज़ बदलते प्रकाश में भटक सकता है।
- वर्धी चालकता (incremental conductance): शिखर पर dP/dV = 0, अर्थात् dI/dV = −I/V; दिशा तय करने हेतु वर्धी व तात्क्षणिक चालकता की तुलना होती है, और यह शिखर पर रुक सकता है।
- स्थिर-वोल्टता विधि: वोल्टता को Voc के निश्चित अंश पर रखें; सस्ती पर केवल सन्निकट।
हल उदाहरण। मॉड्यूल का Vmp = 30 V, Imp = 8 A है, अतः Rmpp = 3.75 Ω। यह हानि-रहित बक कन्वर्टर से 0.6 Ω भार को चलाता है। मिलान शर्त RL/D² = 3.75 से D² = 0.6/3.75 = 0.16, D = 0.40। जाँच: निर्गत 0.4 × 30 = 12 V तथा 12/0.6 = 20 A, और 12 V × 20 A = 240 W = 30 V × 8 A। 48 V बस को चार्ज करने के लिए 30 V मॉड्यूल को बूस्ट कन्वर्टर चाहिए, 48 = 30/(1 − D) से D = 0.375।
मुख्य बिंदु
- फ़ोटॉन तभी अवशोषित होता है जब hc/λ ≥ Eg हो; ऊष्मीकरण व उप-बैंड-अंतराल हानि एकल संधि को लगभग एक-तिहाई दक्षता तक सीमित करती हैं। सिलिकॉन: Eg ≈ 1.12 eV, λc ≈ 1107 nm।
- I = IL − I₀[exp(qV/nkT) − 1]; Isc ≈ IL, Voc = (nkT/q) ln(IL/I₀ + 1)। Isc ∝ विकिरण, जबकि Voc केवल लघुगणकीय बढ़ती है और ताप बढ़ने पर घटती है।
- FF = Vmp Imp/(Voc Isc) तथा η = Pmax/(G·A) = FF·Voc·Isc/(G·A)। STC: 1000 W/m², सेल ताप 25 °C, AM1.5।
- श्रेणी: धारा समान, वोल्टताएँ जुड़ती हैं; समांतर: वोल्टता समान, धाराएँ जुड़ती हैं। छायित सेल श्रेणी स्ट्रिंग को सीमित करता है; बाईपास डायोड उसके चारों ओर मार्ग देते हैं, ब्लॉकिंग डायोड उलटी धारा रोकते हैं।
- MPPT, DC-DC कन्वर्टर द्वारा भार को Rmpp = Vmp/Imp से मिलाता है: बक Vo = D·Vi (स्रोत को RL/D² दिखता है), बूस्ट Vo = Vi/(1 − D) (स्रोत को RL(1 − D)² दिखता है)। P&O दोलन करता है; वर्धी चालकता dI/dV = −I/V प्रयोग करती है।
अभ्यास प्रश्न (17)
उत्तर खोलने से पहले प्रत्येक प्रश्न हल करें। हर व्याख्या सही विकल्प के साथ लुभावना गलत विकल्प भी बताती है, क्योंकि अंक वहीं जाते हैं।
सिलिकॉन सेल की कटऑफ़ तरंगदैर्घ्य से अधिक तरंगदैर्घ्य का प्रकाश बहुत तेज़ तीव्रता से उस पर पड़ता है। परिणाम क्या होगा?
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उत्तर: B — कोई इलेक्ट्रॉन-होल युग्म नहीं बनता, क्योंकि प्रत्येक फ़ोटॉन की ऊर्जा बैंड-अंतराल से कम है
अवशोषण हेतु E = hc/λ ≥ Eg चाहिए; ऐसे फ़ोटॉन Eg से कम ऊर्जा के होते हैं, अतः कितने भी आएँ युग्म नहीं बनते। तीव्रता केवल उन फ़ोटॉनों की संख्या बढ़ाती है जो वाहक उत्तेजित कर सकते हैं। ऊष्मन वाला विचार भी गलत है: ऊँचा ताप Voc घटाता है।hc = 1240 eV·nm लेकर, 1.12 eV बैंड-अंतराल वाले सेल पदार्थ द्वारा अवशोषित अधिकतम तरंगदैर्घ्य निकटतम है
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उत्तर: D — 1107 nm
λc = 1240/1.12 = 1107 nm। 1389 nm गुणा करने (1240 × 1.12) की भूल से और 554 nm दोगुने अंतराल 2.24 से भाग देने से आता है।क्रिस्टलीय सिलिकॉन मॉड्यूल में स्थिर विकिरण पर सेल ताप 25 °C से 60 °C हो जाता है। परिवर्तनों का कौन-सा समुच्चय सही है?
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उत्तर: A — Voc स्पष्ट घटती है, Isc थोड़ी बढ़ती है, Pmax घटती है
ऊँचा ताप संतृप्ति धारा I₀ को चरघातांकी बढ़ाता है, इसलिए Voc = (nkT/q) ln(IL/I₀ + 1) घटती है; अंतराल संकरा होने से Isc थोड़ी बढ़ती है। वोल्टता-हानि छोटे धारा-लाभ से भारी पड़ती है, अतः Pmax घटती है। अधिक ऊष्मा से अधिक शक्ति का विचार ताप-प्रभाव को विकिरण-प्रभाव से मिला देता है।संपर्कों के संक्षारण से सेल का श्रेणी प्रतिरोध बढ़ जाता है, विकिरण व ताप अपरिवर्तित हैं। I-V वक्र पर सबसे सटीक प्रभाव कौन-सा है?
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उत्तर: C — फ़िल फ़ैक्टर व घुटने की शक्ति घटते हैं, जबकि Voc व Isc लगभग अपरिवर्तित रहती हैं
खुले परिपथ पर Rs में धारा नहीं बहती, अतः Voc अपरिवर्तित रहती है; लघु परिपथ पर Rs पर वोल्टता-पात कम होता है, अतः Isc लगभग अपरिवर्तित रहती है। इनके बीच Rs घुटने को गोल करता है और FF व Pmax घटाता है। अधिक वर्गाकार वक्र के लिए श्रेणी प्रतिरोध कम चाहिए, अधिक नहीं।दो सर्वसम मॉड्यूल, प्रत्येक के Voc = 22 V व Isc = 5 A, समांतर जोड़े गए हैं। संयोजन के होंगे
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उत्तर: D — Voc = 22 V व Isc = 10 A
समांतर में वोल्टता उभयनिष्ठ और धाराएँ जुड़ती हैं: 22 V व 10 A। 44 V व 5 A का युग्म श्रेणी संयोजन का है।श्रेणी स्ट्रिंग में एक सेल पूर्णतः छायित है और स्ट्रिंग में बाईपास डायोड नहीं है। स्ट्रिंग जितनी धारा वहन कर सकती है, उसका क्या होता है?
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उत्तर: A — यह उतनी ही रह जाती है जितनी छायित सेल दे सके, और वह सेल उलटी बायस में जाकर गर्म हो सकता है
श्रेणी के सेलों में धारा समान होती है, इसलिए सबसे कमज़ोर सेल उसे तय करता है; अन्य अपनी धारा छायित सेल से बलपूर्वक निकालते हैं, उसे उलटी बायस में डालते हैं, जिससे वह हॉट स्पॉट बनकर शक्ति क्षय करता है। बाईपास डायोड धारा को दूसरा मार्ग देकर समस्या हटाता है।36 सेल का मॉड्यूल 1.2 m² का है और STC पर 16 % दक्ष है। 800 W/m² विकिरण व 45 °C सेल ताप पर क्षेत्र में इसके उत्पादन के बारे में सबसे युक्तिसंगत कथन कौन-सा है?
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उत्तर: C — उत्पादन 0.16 × 800 × 1.2 W से कम है, क्योंकि ऊँचा ताप दक्षता घटाता है
16 % का मान 25 °C पर लागू है। 45 °C पर Voc व Pmax कम होती हैं, अतः उत्पादन STC दक्षता से मिलने वाले 153.6 W से कम होता है। शक्ति लगभग विकिरण (1000 नहीं, 800) के अनुपात में बदलती है, जिससे 1000 W/m² वाला विचार कट जाता है।एक हानि-रहित बूस्ट कन्वर्टर अधिकतम शक्ति बिंदु (Vmp = 30 V) पर मॉड्यूल को 48 V पर टिकी बैटरी बस से जोड़ता है। ड्यूटी चक्र है
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उत्तर: B — 0.375
बूस्ट: Vo = Vi/(1 − D), अतः 1 − D = 30/48 = 0.625 और D = 0.375। 0.625 तो 1 − D है, और 0.600 = 30/50 संबंध नहीं है। बक-प्रकार का नियम (D = Vo/Vi) उच्चायन दे ही नहीं सकता।वर्धी चालकता MPPT एल्गोरिद्म V व I मापता है। अधिकतम शक्ति बिंदु पर वह जो शर्त पहचानता है, वह है
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उत्तर: A — dI/dV = −I/V
P = VI, अतः dP/dV = I + V dI/dV, जो dI/dV = −I/V पर शून्य होता है। dI/dV = 0 लघु परिपथ (वक्र के समतल भाग) पर होता है, घुटने पर नहीं, और चिह्न ऋणात्मक होना चाहिए क्योंकि V बढ़ने पर I घटती है।एक सेल का 1000 W/m² (अर्थात् 100 mW/cm²) पर Voc = 0.62 V तथा Isc = 35 mA/cm² है। इसकी दक्षता 17 % है। इसका फ़िल फ़ैक्टर निकटतम है
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उत्तर: D — 0.78
Pmax = 0.17 × 100 = 17 mW/cm²। Voc × Isc = 0.62 × 35 = 21.7 mW/cm²। FF = 17/21.7 = 0.783। 0.55 बहुत खराब सेल का मान होता, और 0.9 से ऊपर का फ़िल फ़ैक्टर लगभग आदर्श होता है जिसे सिलिकॉन नहीं पाता।प्रकाशित सौर सेल के I-V अभिलक्षणों के बारे में निम्नलिखित में से कौन-से कथन सही हैं?
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उत्तर: A — Isc लगभग विकिरण के अनुपात में होती है; B — Voc विकिरण के साथ लगभग लघुगणकीय बढ़ती है
Isc ≈ IL फ़ोटॉन-अभिवाह के साथ चलती है, जबकि Voc = (nkT/q) ln(IL/I₀ + 1) केवल लघुगणकीय बढ़ती है। FF घुटने वाले आयत व Voc × Isc आयत का अनुपात है और रचना से ही 1 से कम है। खुले परिपथ पर I = 0 है, अतः शक्ति शून्य है।Ns श्रेणी में प्रति स्ट्रिंग और Np स्ट्रिंग समांतर जुड़े सर्वसम मॉड्यूलों के लिए निम्नलिखित में से कौन-से सही हैं?
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उत्तर: A — ऐरे का Voc, मॉड्यूल के Voc का Ns गुना है; B — ऐरे का Isc, मॉड्यूल के Isc का Np गुना है
श्रेणी गणना वोल्टता को और समांतर गणना धारा को गुणा करती है, इसलिए Pmax Ns·Np से गुणा होती है, भाग नहीं। वोल्टता के लिए Np लेना दोनों नियम आपस में बदल देता है।अधिकतम शक्ति बिंदु अनुसरण के बारे में निम्नलिखित में से कौन-से कथन सही हैं?
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उत्तर: A — अधिकतम शक्ति बिंदु विकिरण व सेल ताप के साथ खिसकता है; B — ड्यूटी चक्र बदलकर कन्वर्टर मॉड्यूल को दिखने वाला प्रतिरोध बदलता है
घुटना दशाओं के साथ खिसकता है, और कन्वर्टर स्रोत-पक्ष का प्रतीत प्रतिरोध बदलता है (बक हेतु RL/D²)। MPPT केवल मॉड्यूल को उसकी मौजूदा Pmax पर रखता है; उससे अधिक नहीं कर सकता। P&O निरंतर विक्षोभ देता रहता है, इसलिए शिखर के चारों ओर दोलन करता है।1.6 m² क्षेत्रफल का एक मॉड्यूल STC (1000 W/m²) पर Vmp = 31 V व Imp = 8.3 A देता है। मॉड्यूल-क्षेत्रफल पर आधारित इसकी दक्षता प्रतिशत में, एक दशमलव स्थान तक, ____ है।
संख्यात्मक उत्तर — मान टाइप करें।
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उत्तर: 16.1
Pmax = 31 × 8.3 = 257.3 W; आपतित शक्ति = 1000 × 1.6 = 1600 W; η = 257.3/1600 = 0.1608 = 16.1 %। दो बार हाथ से व Python से सत्यापित।दस मॉड्यूल श्रेणी में जुड़े हैं। प्रत्येक का 25 °C सेल ताप पर Voc = 37.5 V है और प्रत्येक मॉड्यूल का Voc प्रति °C 0.12 V बदलता है (ताप बढ़ने पर घटता है)। 5 °C सेल ताप की ठंडी सुबह में स्ट्रिंग का Voc वोल्ट में ____ है।
संख्यात्मक उत्तर — मान टाइप करें।
उत्तर देखें
उत्तर: 399
20 °C ठंडा होने पर प्रत्येक मॉड्यूल 0.12 × 20 = 2.4 V बढ़कर 39.9 V हो जाता है; श्रेणी में दस का योग 399 V है। 25 °C के आँकड़े लेने पर जाल-मान 375 V आता है।एक सेल का आदर्शता गुणांक n = 1.2, kT/q = 25.85 mV, प्रकाश-धारा IL = 8 A तथा संतृप्ति धारा I₀ = 1.0 × 10⁻⁹ A है। आदर्श एकल-डायोड समीकरण से खुला-परिपथ वोल्टता वोल्ट में, दो दशमलव स्थान तक, ____ है।
संख्यात्मक उत्तर — मान टाइप करें।
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उत्तर: 0.71
Voc = nkT/q × ln(IL/I₀ + 1) = 1.2 × 0.02585 × ln(8 × 10⁹) = 0.03102 × 22.80 = 0.7074 V, अर्थात् 0.71 V। Python से जाँचा (0.7074)।अधिकतम शक्ति बिंदु पर एक मॉड्यूल का Vmp = 30 V व Imp = 8 A है। वह हानि-रहित बक कन्वर्टर के माध्यम से 0.6 Ω के विशुद्ध प्रतिरोधी भार को चलाता है। अधिकतम शक्ति अंतरण हेतु ड्यूटी चक्र, दो दशमलव स्थान तक, ____ होना चाहिए।
संख्यात्मक उत्तर — मान टाइप करें।
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उत्तर: 0.40
Rmpp = 30/8 = 3.75 Ω। बक कन्वर्टर स्रोत को RL/D² दिखाता है, अतः D² = 0.6/3.75 = 0.16 और D = 0.40। जाँच: Vo = 12 V, Io = 20 A, निवेश व निर्गत 240 W।